TY - JOUR AU - Dmitry B. Verbets AU - Vladimir M. Samoylov AU - Leonid M. Buchnev AU - Anastasiya V. Nakhodnova AU - Igor A. Bubnenkov AU - Nina N. Steparyova PY - 1970/01/01 Y2 - 2024/03/29 TI - ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫТЯЖКИ И ГАЗОВОЙ СРЕДЫ ПРИ ГРАФИТАЦИИ НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА ВЫСОКОМОДУЛЬНЫХ УГЛЕРОДНЫХ ВОЛОКОН НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. СЕРИЯ «ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ» JA - ХИХТ VL - 61 IS - 11 SE - ХИМИЯ неорганич., органич., аналитич., физич., коллоидная, высокомол. соединений DO - 10.6060/ivkkt.20186111.17y UR - http://ctj-isuct.ru/article/view/751 AB - Исследовалось влияние условий вытяжки и газовой среды при графитации на кристаллическую структуру и свойства высокомодульных углеродных волокон (УВ) на основе полиакрилонитрила. Показано, что увеличение степени вытяжки до 8 – 10,5% исходного высокопрочного УВ при температуре 3000 °С приводит к уменьшению прочности УВ и росту модуля упругости. Использование галогенсодержащей среды при температуре графитации 2500 °С, не привело к снижению прочности полученных УВ, но привело к значительному увеличению модуля упругости, до 59%. Изучение кристаллической структуры полученных УВ проводили методами рентгеноструктурного анализа и Рамановской спектроскопии. Показано, что с увеличением степени вытяжки до 8 % наблюдается уменьшение межслоевого расстояния d002, рост высоты Lc и диаметра Lа кристаллитов. Методом рамановской спектроскопии было установлено, что параметр ID/IG (соотношению интегральных интенсивностей спектральных полос D и G) при этом уменьшается, что также соответствует увеличению степени совершенства кристаллической структуры УВ. На дифрактограмме  видно влияние галогенсодержащей среды при температуре графитации 2500 °С на кристаллическую структуру УВ: наблюдается снижение полуширины пика 002, хотя межслоевое расстояние при этом не уменьшается, а на рамановком спектре наблюдается снижение отношения спектральных интенсивностей ID/IG, что подтверждает более высокую степень совершенства  кристаллической структуры для УВ, прошедших графитацию в галогенсодержащей среде. <span style="opacity: 0;"> . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . </span> ER -