TY - JOUR AU - Lуdiya N. Bugerko AU - Sergey V. Bin AU - Eduard P. Surovoi AU - Victoriya E. Surovaya PY - 2019/05/21 Y2 - 2024/03/28 TI - ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В СИСТЕМАХ Ga-MoO3 JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. СЕРИЯ «ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ» JA - ХИХТ VL - 62 IS - 5 SE - ХИМИЯ неорганич., органич., аналитич., физич., коллоидная, высокомол. соединений DO - 10.6060/ivkkt.20196205.5818 UR - http://ctj-isuct.ru/article/view/1257 AB - Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ga-MoO3 в зависимости от толщины пленок Ga (d = 2–96 нм) и MoO3 (d = 7–62 нм), температуры (473 - 773 К) и времени термообработки. Показано, что спектры поглощения систем Ga-MoO3 в коротковолновой области спектра (λ = 300–500 нм) по мере уменьшения толщины пленок галлия определяются поглощением пленок MoO3, а в длинноволновой области спектра (λ = 500–1100 нм) проявляются полосы поглощения пленок галлия. Рассчитаны, построены и сопоставлены кинетические зависимости степени превращения пленок MoO3 и галлия. Установлено, что увеличение толщины пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 при постоянной температуре обработки приводит к уменьшению степени превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e] пленок MoO3, в то время как увеличение температуры при постоянной толщине пленок MoO3 способствует ее возрастанию. Показано, что скорость превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e] пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 больше, чем в индивидуальных пленках MoO3. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, MoO3 и фото-ЭДС системы Ga-MoO3, которая соответствует положительному знаку со стороны слоя MoO3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga-MoO3. Предложена модель термического превращения пленок MoO3 в системах Ga-MoO3, включающая перераспределение на контакте равновесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки MoO3 центра [(V_a )^(++)∙e], преобразование его при создании систем Ga-MoO3 в центр [e∙(V_a )^(++)∙e], термический переход электрона на уровень центра [(V_a )^(++)∙e] с образованием центра [e∙(V_a )^(++)∙e]. ER -